| 专利名称 | 一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法 | 申请号 | CN201310414732.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103456607A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 史敬元;金智;张大勇;麻芃;彭松昂 | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法 至一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，该方法包括：将清洗后的衬底放入烘箱内80℃～200℃干燥处理5分钟～60分钟；配制BCB溶液，利用有机溶液对BCB溶液进行稀释，通过匀胶机将稀释后的BCB溶液旋涂在衬底表面；在N2或者惰性气体的保护下，将表面旋涂BCB溶液后的衬底加热至200℃～400℃，使苯并环丁烯单体发生交联反应生成苯并环丁烯聚合体，从而在衬底表面形成BCB有机膜层。本发明解决了由于原有衬底表面极性散射、粗糙起伏、杂质吸附等原因而造成的石墨烯器件性能退化等问题，BCB有机膜层既钝化、修饰了原有衬底表面，同时自身不会引起石墨烯的载流子迁移率退化。 |
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