| 专利名称 | 基于表面等离子体波照明的光刻成像设备及光刻成像方法 | 申请号 | CN201310438387.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103454866A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;王长涛;赵泽宇;王彦钦;姚纳;胡承刚;蒲明薄;王炯;刘利芹;杨磊磊 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 基于表面等离子体波照明的光刻成像设备及光刻成像方法 至基于表面等离子体波照明的光刻成像设备及光刻成像方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了基于表面等离子体波照明的光刻成像设备及光刻成像方法。一示例光刻成像设备可以包括：表面等离子体SP波照明场产生装置，被配置为接收以一定方向入射的远场照明光束，以产生特定传输波长的SP波照明场。SP波照明场可以通过掩模激发待成像的光场。远场照明光束的入射角度可以被设置为能够产生特定传输波长的SP波照明场，实现SP波通过掩模层的+1级或-1级衍射光与0级衍射光发生干涉。 |
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