| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210170314.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103456782A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;秦长亮;马小龙;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构下方的衬底中的沟道区、以及沟道区两侧的源漏区，其特征在于：沟道区下方以及两侧具有应力层，源漏区形成在应力层中。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在硅基材料的沟道区两侧以及下方形成了应力层而作用于沟道区，有效提升了沟道区载流子迁移率，提高了器件性能。 |
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