| 专利名称 | 一种测量航天器介质材料深层充电特征参数的装置及方法 | 申请号 | CN201310421386.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103454315A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院空间科学与应用研究中心 | 发明（设计）人 | 张振龙;曹旭纬;吴逢时;韩建伟;李书田 | 主分类号 | G01N27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/02(2006.01)I;G01R27/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种测量航天器介质材料深层充电特征参数的装置及方法 至一种测量航天器介质材料深层充电特征参数的装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种测量航天器介质材料深层充电特征参数的装置和方法，所述装置包含：辐射源，真空单元，样品靶台，控制单元；静电电位计，用于测量某一通量时的试样介质的表面电位；静电计，用于测量某一通量时试样的泄露电流；总电导率获得单元，用于基于测量得到的表面电位和泄露电流得到总电导率；电位衰减测量单元；第一处理单元，用于基于得到的电位随时间衰减曲线和电荷贮存衰减法，得到各通量下的暗电导率值，再取平均得到最终的暗电导率σ0；第二处理单元，用于基于得到的暗电导率和总电导率，得到在两种不同的束流强度在材料体积中产生剂量率对应的辐射诱发电导率，进而获得试样材料相关的参数数Kp和无量纲指数Δ值。 |
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