| 专利名称 | 碳纳米管场发射阴极及其制备方法 | 申请号 | CN201310411202.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103456581A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 洪序达;陈婷;陈垚;郑海荣 | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 专利有效期 | 碳纳米管场发射阴极及其制备方法 至碳纳米管场发射阴极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种碳纳米管场发射阴极及其制备方法。该碳纳米管场发射阴极包括导电基板和依次层叠于所述导电基板上的石墨烯层和碳纳米管层。石墨烯的理论比表面积高达2600m2/g，其独特的二维结构能够进行有效的电热传输，具有比碳纳米管更加优异的热学和电学性能，在导电基板和碳纳米管层之间设置石墨烯层，充分发挥石墨烯比表面积巨大以及导电散热优异的特性，能够提高碳纳米管层的附着力，提高发射电流和稳定性。 |
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