| 专利名称 | 一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法 | 申请号 | CN201310390421.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103451609A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 王浩静;李涛涛;王红飞;刘欢;杨利青;胡炜杰 | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G01N27/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法 至一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种多孔氧化物半导体纳米薄膜的制备方法。其技术方案是，使用共溅射技术，采用氧化物半导体靶材（或相应金属靶材）和造孔剂靶材，在Ar或者Ar、O2混合气氛下，在基底表面同时或者交替沉积薄膜，预制成具有氧化物／造孔剂两种物相的复合纳米薄膜。预制的复合薄膜在经过水洗后，造孔剂被溶解，得到多孔的纳米薄膜。最后将薄膜烘干，进行退火处理，能得到结晶性好、高取向、高孔隙度的纳米薄膜。 |
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