| 专利名称 | 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法 | 申请号 | CN201210181890.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103447097A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 包信和;李星运;周永华;潘秀莲 | 主分类号 | B01J32/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J32/00(2006.01)I;B01J27/224(2006.01)I;B01J27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法 至一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种新型高比表面积SiC基的新型纳米碳复合材料制备方法。通过选择合成温度、气氛、不同催化剂，可实现在SiC表面控制生长出一层或多层不同厚度的碳层，且该碳层的形貌和结构特点随合成条件不同而不同。本发明实现了基于SiC的C-SiC复合材料的合成，该复合材料同时具有碳材料与SiC的优势，可应用于催化和吸附中。 |
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