| 专利名称 | 金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201310415653.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103447523A | 公开（授权）日 | 2013.12.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 唐海宾;孟国文;李中波;朱储红;黄竹林;张倬 | 主分类号 | B22F1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B22F1/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途 至金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途。阵列为置于衬底的银膜上附有银纳米半球组成的有序阵列，银纳米半球的球直径为85～95nm、球间距≤10nm，其上修饰有粒径为5～10nm的金纳米颗粒；方法为先对铝片依次使用二次阳极氧化法、扩孔处理和于其一面镀银膜，得到一面覆有银膜、孔中团聚有银纳米半球的氧化铝模板，再于银膜上粘附固定衬底，之后，先将一面依次覆有银膜和衬底、孔中团聚有银纳米半球的氧化铝模板置于碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板，再将其置于离子溅射仪中，于溅射电流为35～45mA下溅射金8～12s，制得目标产物。它可作为表面增强拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的痕量罗丹明或多氯联苯3的含量。 |
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