| 专利名称 | 一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法 | 申请号 | CN201310414720.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103441223A | 公开（授权）日 | 2013.12.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 史敬元;金智;张大勇;麻芃;彭松昂 | 主分类号 | H01L51/56(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法 至一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法，该方法是利用硅烷偶联剂在衬底表面形成硅烷有机膜层，利用硅烷有机膜层不同基团、不同强度的亲核与疏核特性，对附着在硅烷有机膜层表面的碳基薄膜材料进行表面吸附式掺杂，通过调整不同基团种类和浓度配比，连续调整附着在硅烷有机膜层表面的碳基半导体器件的载流子浓度，有效控制碳基半导体器件狄拉克点的偏移位置。本发明避免了原有替位式掺杂和注入式掺杂等常规方法对石墨烯薄膜材料带来的破坏性影响，同时解决了由于衬底表面极性散射、粗糙起伏、杂质吸附等原因而造成的石墨烯器件性能退化等问题。 |
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