| 专利名称 | 包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法 | 申请号 | CN201310370885.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103427022A | 公开（授权）日 | 2013.12.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法 至包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种三明治型电极的相变存储结构及其制备方法，在设置有下电极的衬底上表面形成暴露出所述下电极上表面的第一绝缘材料层；接着制备与所述下电极接触的加热电极；继续沉积绝缘材料层；利用第一分隔槽分割相邻所述下电极，形成三明治型电极结构；在所述绝缘材料层上表面、第一分隔槽内壁上依次形成相变材料层、上电极；利用第二分隔槽分割相邻的三明治型电极结构；平坦化并暴露出第四绝缘层下方的上电极。本发明克服因加热电极被氧化导致电阻稳定性差，三明治型纳米电极包覆的氮化物有助于阻止电极被氧化，从而避免电极阻值的不稳定，克服了相变存储器器件的失效，提高器件的成品率。 |
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