| 专利名称 | 中子屏蔽材料及制备工艺 | 申请号 | CN201210156866.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103426492A | 公开（授权）日 | 2013.12.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 柯于斌;陶举洲;周健荣;王凌倩 | 主分类号 | G21F1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G21F1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 中子屏蔽材料及制备工艺 至中子屏蔽材料及制备工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种中子屏蔽材料及制备工艺。所述中子屏蔽材料包含：超高分子量聚乙烯、至少一种硼化合物、和至少一种硬脂酸或其盐。本发明还提供了制备该中子屏蔽材料的方法。本发明中子屏蔽材料具有成本低廉、制备简单、成型性好、产品优良率高、中子屏蔽效果好等优点。 |
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