| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210168214.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103426769A | 公开（授权）日 | 2013.12.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 秦长亮;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有外延源漏区域的半导体器件制造方法，在已有工艺在源漏外延锗硅的基础上添加外延硅碳或者锗硅碳材料的源漏区域扩散阻挡层，通过源漏区域扩散阻挡层的引入防止源漏区域掺杂杂质的扩散，从而达到减小SCE和DIBL效应的目的；源漏区域扩散阻挡层的使用还可以减小后续步骤中HALO注入的剂量，这样，如果是源漏区域外延前进行HALO，则可以减小的影响源漏区域表面的影响，如果是源漏区域外延后进行HALO，则可以尽量减小注入造成的源漏区域外延层的应力释放效应。 |
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