| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210167377.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103426768A | 公开（授权）日 | 2013.12.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 秦长亮;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有外延源漏区域的半导体器件制造方法，通过在源漏沟槽首先外延与阱相同杂质的外延层作为保护层，防止CMOS的器件的串通，以完全替代HALO或者部分代替HALO的作用，然后再进行源漏区域外延，通过这种方法可以增加器件的性能及稳定性。 |
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