| 专利名称 | 硅基锗激光器及其制备方法 | 申请号 | CN201310342715.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103427332A | 公开（授权）日 | 2013.12.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘智;成步文;李传波;李亚明;薛春来;左玉华;王启明 | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基锗激光器及其制备方法 至硅基锗激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；p型掺杂区、锗脊形波导和n型掺杂区形成横向p-i-n二极管结构；绝缘介质层，形成于锗脊形波导、p型掺杂区和n型掺杂区的上方；以及p电极和n电极，形成于绝缘介质层的上方，分别与p型掺杂区和n型掺杂区电性连接。本发明采用水平横向p-i-n锗脊形波导结构，硅衬底不需要掺杂，在硅衬底上外延生长的锗层可以有很好的晶体质量，从而有利于硅基锗激光器整体性能的提升。 |
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