| 专利名称 | 包覆结构复合导电陶瓷材料和阴极接触层及其制备方法 | 申请号 | CN201210204052.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103427092A | 公开（授权）日 | 2013.12.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 辛显双;王绍荣;钱继勤;占忠亮;温廷琏 | 主分类号 | H01M4/86(2006.01)I | IPC主分类号 | H01M4/86(2006.01)I;H01M4/88(2006.01)I | 专利有效期 | 包覆结构复合导电陶瓷材料和阴极接触层及其制备方法 至包覆结构复合导电陶瓷材料和阴极接触层及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种包覆结构复合导电陶瓷材料和阴极接触层及其制备方法，所述复合导电陶瓷材料可作为SOFC阴极-连接体之间的接触层，具有由尖晶石结构相包覆钙钛矿结构相形成的包覆结构。此类复合材料在表现出还原尖晶石材料的低温烧结活性的同时，由于高致密度及高电导钙钛矿颗粒的使用，可有效地提高复合材料的电导性能，其结合了钙钛矿电导率高及还原后的尖晶石粉体烧结活性好的优点。此类包覆结构复合材料成本低廉，性能优越，有望取代昂贵的贵金属作为接触层材料，可极大地降低SOFC制备成本，具有极高的应用价值。 |
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