| 专利名称 | 一种具高折射率与力学强度LED封装材料用改性纳米二氧化硅及制备方法 | 申请号 | CN201310320538.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103408798A | 公开（授权）日 | 2013.11.27 | 申请（专利权）人 | 中科院广州化学有限公司 | 发明（设计）人 | 刘伟区;韩敏健;王政芳;马子淇;闫振龙;高南;罗广建 | 主分类号 | C08K9/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C08K9/06(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08L83/07(2006.01)I;C08L83/05(2006.01)I;H01L33/56(2010.01)I | 专利有效期 | 一种具高折射率与力学强度LED封装材料用改性纳米二氧化硅及制备方法 至一种具高折射率与力学强度LED封装材料用改性纳米二氧化硅及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于有机硅LED封装材料领域，公开了一种具高折射率与力学强度LED封装材料用改性纳米二氧化硅及其制备方法。制备按照以下步骤：按重量份数计，气相纳米二氧化硅50份、乙烯基硅氧烷单体0.5～30份、苯基硅氧烷单体1～25份、催化剂A0.05～10份和有机溶剂500～1000份混合均匀后，在30℃～110℃磁力搅拌下反应1h～12h，离心，取下层沉淀物，在真空烘箱中于30℃～100℃下，干燥12h～72h，得到改性纳米二氧化硅。此方法制备的改性的纳米二氧化硅作为LED基胶的增强材料，能够在提高封装材料力学性能的同时，能够有效的降低甚至基本消除因为折光率引起的透明性下降的问题。 |
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