| 专利名称 | 利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法 | 申请号 | CN201310370281.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103414107A | 公开（授权）日 | 2013.11.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张灿;朱洪亮;梁松 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法 至利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用量子阱混杂技术制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括如下步骤：在衬底上依次外延缓冲层、多量子阱有源区、快速退火缓冲层和空位释放层;腐蚀去掉激光器、探测器和光放大器区的空位释放层后生长二氧化硅，一次退火获得电吸收调制器区材料；腐蚀去掉电吸收调制器区空位释放层后二次退火获得无源区材料；腐蚀去掉所有的空位释放层以及快速退火缓冲层；在激光器区表层制作光栅后生长盖层和电接触层，然后制作条形脊波导；分别在有源区脊波导结构上和减薄后的衬底上制作正面和背面电极，完成管芯制作。整个光子集成芯片制作只需两次外延步骤，即能完成不同带隙有源区与无源区材料之间的集成，成本低，产率高，适宜推广。 |
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