| 专利名称 | 硅基半导体超短脉冲激光器 | 申请号 | CN201310357340.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103414106A | 公开（授权）日 | 2013.11.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 丁颖;倪海桥;李密锋;喻颖;查国伟;徐建新;王莉娟;牛智川 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基半导体超短脉冲激光器 至硅基半导体超短脉冲激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。 |
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