| 专利名称 | 一种三维结构单元组装的功率半导体模块 | 申请号 | CN201310323097.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103413797A | 公开（授权）日 | 2013.11.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王春雷;郑利兵;方化潮;靳鹏云;韩立 | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三维结构单元组装的功率半导体模块 至一种三维结构单元组装的功率半导体模块 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种三维结构单元组装的功率半导体模块，由多个三维结构单元（6）通过机械装配而成。一个三维结构单元的发射极通过连接端子与另外一个三维结构单元的集电极串联作为一个半桥单元，多个半桥单元并联。每个功率半导体模块的三维结构单元（6）由全控型功率半导体芯片（10a）、不控型功率半导体芯片（10b）、第一衬底（1）、第二衬底（5）组成；所述的全控型功率半导体芯片（10a）和不控型功率半导体芯片（10b）位于第一衬底（1）和第二衬底（5）之间，并列布置。全控型功率半导体芯片（10a）的栅极（10a2）位于不控型功率半导体芯片（10a）芯片边角处。所述的功率半导体模块通入绝缘冷却液体冷却。 |
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