| 专利名称 | 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法 | 申请号 | CN201310339890.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103411997A | 公开（授权）日 | 2013.11.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;李莹;毕津顺;李书振;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | G01N25/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N25/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法 至一种SOI_MOSFET的热阻提取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：设计一种器件，所述器件的栅结构的两端都引出连线；在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻；将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入温度变化特性中，得到工作状态下器件的真实温度，进而求出热阻。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案具有如下优点：通过利用栅电阻的温度特性来提取器件的热阻，简单易行，避免了使用PIV设备带来成本过高的问题。 |
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