| 专利名称 | 一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法 | 申请号 | CN201310361799.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103399461A | 公开（授权）日 | 2013.11.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;王长涛;赵泽宇;王彦钦;沈同圣;刘玲;胡承刚;黄成;杨磊磊;潘思洁;崔建华;赵波 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法 至一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。 |
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