| 专利名称 | 一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法 | 申请号 | CN201310340709.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103399459A | 公开（授权）日 | 2013.11.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;赵泽宇;王彦钦;王长涛;沈同圣;刘利芹;胡承刚;黄成;杨磊磊;潘思洁;崔建华;赵波 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法 至一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。 |
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