| 专利名称 | 红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 | 申请号 | CN201310351168.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103401144A | 公开（授权）日 | 2013.11.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 至红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n=0.04～0.34；x=0.48～0.54，y=0.04～0。本发明采用InxGa1-xAs1-yBiy材料作为半导体激光器有源区的材料，基于晶格匹配生长，能够兼容DBR、DFB及垂直腔面发射激光器等其它类型激光器结构，且激光器采用无Al结构提高了器件的性能及寿命。本发明还提供了半导体激光器及其制作方法。 |
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