| 专利名称 | 基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法 | 申请号 | CN201310352264.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103400859A | 公开（授权）日 | 2013.11.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;谢红;吴天如;孙秋娟;王慧山;宋阳曦;刘晓宇;唐述杰;谢晓明 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法 至基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石墨烯为带状石墨烯或石墨烯纳米带；所述带状石墨烯的宽度大于100nm；所述石墨烯纳米带的宽度范围为1~100nm。本发明通过在底层石墨烯及顶层石墨烯之间引入绝缘阻挡层，这样底层石墨烯及顶层石墨烯中载流子浓度可以分别通过加在底栅电极和顶栅电极上的电压进行调节，从而实现器件的较高的开关比。同时顶栅电极和底栅电极可以进行精确的单元选址，实现大规模器件集成运用。 |
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