| 专利名称 | 建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法 | 申请号 | CN201310369919.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103392608A | 公开（授权）日 | 2013.11.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院昆明植物研究所 | 发明（设计）人 | 何俊;张雪梅;程治英;李德铢 | 主分类号 | A01H4/00(2006.01)I | IPC主分类号 | A01H4/00(2006.01)I | 专利有效期 | 建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法 至建立梳唇石斛离体持续开花体系的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 提供建立梳唇石斛（Dendrobiumstrongylanthum?Rchb.f.）离体持续开花体系的方法，取梳唇石斛外植体，进行离体培养，培养温度为25±2℃，光照强度为20μmol/（m2·s），光照12h/d，基本培养基为1/2MS，诱导丛芽产生花序、花序切段培养及营养生长和生殖生长相互转换的培养基为1/2MS+BA0.5mg/L+NAA0.2mg/L+S3%或1/2MS+NAA0.5mg/L+PPP3330.2mg/L+S2%或1/2MS+NAA0.5mg/L+Ac0.05%+S2%，所有培养基PH值为5.8，加5.6g/L琼脂固化。 |
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