| 专利名称 | 高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器 | 申请号 | CN201310313802.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103401142A | 公开（授权）日 | 2013.11.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 宁永强;李秀山;王立军;刘云;秦莉;张星 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I | 专利有效期 | 高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器 至高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域，解决了现有技术中单模激光器功率低、稳定性差的技术问题。本发明的半导体激光器包括p面电极、p型DBR台面、有源区、n型DBR、GaAs衬底和n面电极，所述p型DBR台面为多层结构，由交替排列的高折射率介质材料和低折射率介质材料组成，高折射率介质材料和低折射率介质材料的厚度均为四分之一光学波长，高折射率介质材料的宽度大于低折射率介质材料的宽度，低折射率介质材料的宽度等于出光孔的宽度，高折射率介质材料与低折射率介质材料的中心线在同一条直线上。本发明的单模半导体激光器具有较高的功率输出和模式可靠性。 |
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