| 专利名称 | 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法 | 申请号 | CN201310342944.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103399465A | 公开（授权）日 | 2013.11.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 王泰升;鱼卫星;卢振武;孙强 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法 至一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法，属于光电技术及微纳加工技术领域，设计掩模板A和掩模板B，分别对应基片的表面a和表面b所需图形，在掩模板A上设计中心对称的内外两层对准标记，内层对准标记在基片尺寸范围内，首先利用掩模板A在基片的表面a进行光刻，接下来利用掩模板A在透明衬底表面进行光刻，将透明衬底上已做好光刻图形的表面与基片做好光刻图形的表面a相对，基片与衬底粘合后，利用掩模板B在基片表面b进行光刻，最后利用加热或溶解的方法将基片与透明衬底分离，得到具有双面对准图形的基片。借助透明衬底完成双面对准，实现利用普通的单面曝光机来实现双面光刻的问题，降低了双面光刻工艺成本。 |
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