| 专利名称 | CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法 | 申请号 | CN201310315171.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103395000A | 公开（授权）日 | 2013.11.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 王佳;范斌;万勇建;施春燕;卓彬;孟凯 | 主分类号 | B24B49/00(2012.01)I | IPC主分类号 | B24B49/00(2012.01)I | 专利有效期 | CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法 至CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法，所述方法的步骤如下：步骤S1：利用光学元件抛光前后的功率谱密度函数PSDbef、PSDaft，构建出平滑谱函数H与PSDaft、PSDbef的公式(1)PSDaft＝(1-H)(1-H)*·PSDbef，其中(1-H)*为(1-H)的共轭，*为求共轭的运算符；步骤S2：根据复数运算法则，对公式(1)两边取模得到抛光后面形数据的功率谱密度函数表达式(2)PSDaft＝|(1-H)|2·PSDbef；步骤S3：由于平滑谱函数H为去除函数归一化后的傅里叶变换，所以根据|H|＜1，求解公式(2)，构建出平滑谱函数H的公式(3)公式(3)将CCOS抛光工艺抑制不同频段误差的能力表示为频率的归一化函数，利用抛光前后得到的PSDbef、PSDaft计算平滑谱函数曲线，根据平滑谱函数曲线值的大小来评价CCOS抛光工艺抑制不同频段误差能力的大小。 |
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