| 专利名称 | 一种高取光效率白光发光二极管 | 申请号 | CN201320262295.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203288648U | 公开（授权）日 | 2013.11.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 吴少凡;林文雄;郑熠;王晓伟 | 主分类号 | H01L33/50(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/50(2010.01)I | 专利有效期 | 一种高取光效率白光发光二极管 至一种高取光效率白光发光二极管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种高取光效率白光发光二极管。该二极管包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上外延生长的半导体结构，在蓝宝衬底背面键合的固态荧光材料，半导体结构上制造的电极，焊接芯片的基板，蓝宝石衬底与固态荧光材料之间直接键合。该二极管由于固态荧光材料和蓝宝石外延片之间无任何介质，因此减小了全反射损耗，提高了取光效率。 |
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