| 专利名称 | 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 | 申请号 | CN201310306968.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103390591A | 公开（授权）日 | 2013.11.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01L21/8258(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8258(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 至硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种硅基高迁移率III-V/Ge沟道的CMOS制备方法，包括：在硅衬底上生长锗层；第一次退火后，在锗层上依次生长低温成核砷化镓层、高温砷化镓层、在生长半绝缘InGaP层和砷化镓盖层，形成样品；将样品的砷化镓盖层进行砷化镓抛光工艺，将样品进行第二次退火后生长nMOSFET结构；在nMOSFET结构的表面，选区ICP刻蚀，从nMOSFET结构向下刻蚀到锗层，形成凹槽，并在凹槽内及nMOSFET结构的表面PECVD生长二氧化硅层；在选区刻蚀的位置再次进行ICP刻蚀二氧化硅层到锗层，形成沟槽；清洗样品，采用超高真空化学气相沉积的方法，在沟槽内生长锗成核层和锗顶层；对锗顶层进行抛光，并去掉nMOSFET结构上的部分二氧化硅层；在nMOSFET结构和锗顶层上进行源、漏和栅的CMOS工艺完成器件的制备。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障