| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210140207.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103390556A | 公开（授权）日 | 2013.11.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;张珂珂 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成伪栅极堆叠结构，其中伪栅极堆叠结构包含碳基材料；在伪栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；刻蚀去除伪栅极堆叠结构，直至暴露衬底，留下栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。依照本发明的半导体器件制造方法，采用碳基材料替代了硅基材料的伪栅极，在后栅工艺中刻蚀去除伪栅极时无需添加垫氧化层和/或刻蚀阻挡层，在确保器件可靠性之外还简化了工艺、降低了成本。 |
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