| 专利名称 | 一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极及其制作方法 | 申请号 | CN201310306868.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103390657A | 公开（授权）日 | 2013.11.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘静;伊福廷 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极及其制作方法 至一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极及其制作方法，该选择性栅极是覆盖在未被刻蚀纳米柱阵列的光电池表面，在除覆盖该选择性栅极以外的光电池表面是被刻蚀形成的硅纳米柱阵列。该方法是采用紫外光刻技术、自组装氯化铯纳米岛技术与微加工的等离子体刻蚀技术来完成硅表面选择性纳米织构化，经过热扩散的方法制作P-N结结构，再通过套刻对准技术及真空镀膜技术制作出纳米织构化光电池的选择性栅极。本发明提供的选择性栅极，具有低成本和较强的工艺适应性能，在充分利用纳米织构化减小反射的特性的同时，还避免了前表面全部纳米织构化带来的欧姆接触不良的弊端，减小了串联电阻，增加欧姆接触，提高纳米织构化太阳电池的光电转换效率。 |
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