| 专利名称 | 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 | 申请号 | CN201310315026.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103388177A | 公开（授权）日 | 2013.11.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘兴昉;刘斌;郑柳;董林;刘胜北;闫果果;孙国胜;曾一平 | 主分类号 | C30B25/16(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/16(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 至一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体；且每条管道可独立的打开或关闭。所述液态源装置包括多个源瓶，安装在一个惰性气体控制柜里，其中源瓶安装在恒温槽里，通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室，并在生长室中进行化学反应合成所需半导体薄膜。所述载气直接通过主管道进入生长室，并通过打开或关闭旁路控制生长室气源，以达到控制薄膜生长以及切换过程中平衡生长室压力的目的。 |
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