| 专利名称 | 一种石墨烯导电薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201310311171.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103387230A | 公开（授权）日 | 2013.11.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张大勇;金智;史敬元;麻芃 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯导电薄膜的制备方法 至一种石墨烯导电薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：在石墨电极表面利用电化学方法沉积金属铜；在铜表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；将热释放胶带黏贴在石墨烯表面，将铜薄膜从石墨基底表面剥离得到胶带/石墨烯/铜的复合膜；以这种复合膜为阳极、石墨为阴极，利用电化学方法腐蚀除去复合膜最外层的铜，得到胶带/石墨烯复合膜；将复合膜上的石墨烯转移至透明基底上，最终得到石墨烯导电薄膜。本发明提供的石墨烯导电薄膜的制备方法，不仅能有效减少石墨烯的破损，而且将铜膜的制备和铜的腐蚀同步完成，缩短了制备时间，降低了成本，可用于大面积石墨烯导电薄膜的制备。 |
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