| 专利名称 | CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用 | 申请号 | CN201210572411.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103131420A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 蔡林涛;高笃阳;张鹏飞;贾静;胡德红;盛宗海;龚萍 | 主分类号 | C09K11/89(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/89(2006.01)I;C09K11/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用 至CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供一种CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及双模态半导体纳米材料。一种CdHgTe量子点的制备方法，包括如下步骤：将碲溶解于有机膦中得到碲前体；将醋酸汞加入到含有氢氧化钾和十二硫醇的甲醇中反应得到沉淀，将沉淀干燥洗涤后溶于氯仿中得到汞前体；在氮气的保护下，将氧化镉、油胺、十四烷基磷酸及十八烯混合后加热至280℃~310℃，加入碲前体，降温至240℃~260℃反应得到反应液；及将反应液与丙酮混合后离心分离，将离心得到的沉淀物溶于氯仿中，加入汞前体反应两小时，加入正己烷和甲醇的混合液，离心后得到CdHgTe量子点溶液。上述CdHgTe量子点溶液的制备方法操作较为简单。 |
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