| 专利名称 | 一种基于三元纳米阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310019859.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN103137868A | 公开(授权)日 | 2013.06.05 | 申请(专利权)人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明(设计)人 | 刘长文;王命泰;邱泽亮;张慧 | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于三元纳米阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 至一种基于三元纳米阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了基于三元纳米阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法,电池组成包括有玻璃衬基、作为阳极的ITO层、ZnO-CdS-Sb2S3三组分纳米棒阵列、MEH-PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便,Sb2S3层的厚度易控。 |
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