| 专利名称 | 磁性多层膜霍尔元件及其制备方法 | 申请号 | CN201310055476.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137850A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 朱涛 | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I;B82Y25/00(2011.01)I;H01F10/08(2006.01)I | 专利有效期 | 磁性多层膜霍尔元件及其制备方法 至磁性多层膜霍尔元件及其制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种磁性多层膜霍尔元件及其制备方法。所述磁性多层膜霍尔元件包括复合多层结构的磁性多层膜，所述磁性多层膜包括至少一个基本单元，每一所述基本单元包括非磁性金属化合物层MO、磁性金属材料层FM和非磁性金属材料层NM，其中，在所述基本单元中，所述非磁性金属化合物层MO和所述非磁性金属材料层NM分别设置在所述磁性金属材料层FM的两侧；所述非磁性金属材料层NM由选自Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中之一的金属形成，或由包含Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中至少一种元素的合金形成。本发明的磁性多层膜霍尔元件同时具有大霍尔电阻率，大纵向电阻率以及小矫顽力的特性，有望用于制备高性能的霍尔元件。 |
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