| 专利名称 | 紫外发光二极管结构 | 申请号 | CN201310057268.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137822A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙莉莉;闫建昌;魏同波;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 专利有效期 | 紫外发光二极管结构 至紫外发光二极管结构 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种紫外发光二极管结构，包括：一基底；一N型AlGaN层，其制作在基底上，该N型AlGaN层上面的一侧有一台面；一AlGaN量子阱，其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面；一P型AlGaN层，其制作在AlGaN量子阱上；一P型GaN层，其制作在P型AlGaN层上；一顶电极，其制作在P型GaN层上；一底电极，其制作在N型AlGaN层一侧的台面上；一金属层，其制作在基底的背面。本发明采用等离激元技术提高出光效率和内量子效率。 |
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