| 专利名称 | 非易失性三维半导体存储器件及制备方法 | 申请号 | CN201110390695.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137860A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 非易失性三维半导体存储器件及制备方法 至非易失性三维半导体存储器件及制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子学技术领域，公开了一种非易失性三维半导体存储器件及其制备方法。该三维半导体存储器含有采用多个有绝缘层隔离的条形导通材料组成的位线；每个条形导通位线在侧向有两个表面区域；与此导通位线正交的方向有由导通材料构成的字线；存储材料夹在位线和字线的十字交叠区域中间作为电荷俘获堆栈区或阻变功能区。该三维半导体存储器中的功能层可以采用高介电常数材料，栅电极采用高功函数材料如金属的氮化物等。为此，该三维半导体存储器的制备方法将引入先形成字线之间隔离区，然后再淀积存储功能层材料和栅材料的后栅工艺，用于在简化工艺、防止材料沾污的同时提高器件的性能。 |
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