| 专利名称 | 在Si基上制备InP基HEMT的方法 | 申请号 | CN201310061105.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137477A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李士颜;周旭亮;于鸿艳;李梦珂;米俊萍;潘教青 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 在Si基上制备InP基HEMT的方法 至在Si基上制备InP基HEMT的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO2层；步骤S2：刻蚀所述SiO2层，以在该SiO2层上形成多个沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3：采用低压MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长第一InP缓冲层、掺Fe的InP半绝缘层、第二InP缓冲层、GaInAs沟道层、AlInAs隔离层、掺杂Si的AlInAs供应层、势垒层、掺杂Si的GaInAs接触层；步骤S4：在所述掺杂Si的GaInAs接触层上制作源极、漏极和栅极。本发明通过改变生长原料，降低生长温度，优化生长速率，减少了异质界面的缺陷，提高了外延层的质量。 |
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