| 专利名称 | 离子注入机控制系统 | 申请号 | CN201110391341.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137413A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王蒙;李勇滔;赵章琰;李超波;夏洋 | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/317(2006.01)I | 专利有效期 | 离子注入机控制系统 至离子注入机控制系统 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种离子注入机控制系统，包括电源系统，反应腔室、预抽腔室、工控机，工控机，所述工控机控制所述反应腔室、预抽腔室的真空度、硅片反应过程及取片过程。本发明提供的一种离子注入机控制系统采用PXI标准，选用工控机与数据采集卡相结合的方式，构建了一种注入机的控制系统，具有高性能和扩展性强的特点。 |
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