| 专利名称 | 一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法 | 申请号 | CN201110383797.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137538A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张波;俞文杰;赵清太;狄增峰;张苗;王曦 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法 至一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障