| 专利名称 | 基于ARM的嵌入式注入机控制系统 | 申请号 | CN201110389219.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137410A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王蒙;李勇滔;赵章琰;李超波;夏洋 | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/317(2006.01)I;H01J37/304(2006.01)I | 专利有效期 | 基于ARM的嵌入式注入机控制系统 至基于ARM的嵌入式注入机控制系统 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于ARM的注入机控制系统包括电源系统、反应腔室、预抽腔室、运行有注入机控制软件的上位机、真空控制系统、送片系统；所述真空控制系统在所述上位机的控制下，控制所述反应腔室、所述预抽腔室的真空度；所述反应腔室与所述预抽腔室连接；所述送片系统用于将硅片从所述预抽腔室运输至所述反应腔室，并将硅片运输至所述反应腔室内的离子反应位置；所述上位机是基于ARM的方式实现。本发明提供的基于ARM的注入机控制系统信号采集系统整合度高，为控制提供了牢靠的外界条件，结构简单，可用于大面积的离子注入。 |
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