| 专利名称 | 一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法 | 申请号 | CN201110375162.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137460A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;许高博 | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法 至一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法，主要包括：界面SiO2生长前的清洗方法；一种分子尺度超薄界面SiO2生长技术；热退火控制高K栅介质与界面SiO2反应，以进一步减薄界面SiO2；在工艺集成过程中严格防止氧的入侵方法。本发明能获得EOT小的优质高K栅介质膜，制备工艺简单可行，易于集成，与平面CMOS工艺兼容性好，能满足45纳米及以下技术代高性能纳米尺度CMOS金属栅/高K器件的应用需求。 |
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