| 专利名称 | 快速检测II型红外超晶格界面质量的光谱方法和装置 | 申请号 | CN201310039046.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103134779A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 邵军;陈熙仁;吕翔;朱亮;祁镇 | 主分类号 | G01N21/63(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/63(2006.01)I;G01J3/443(2006.01)I | 专利有效期 | 快速检测II型红外超晶格界面质量的光谱方法和装置 至快速检测II型红外超晶格界面质量的光谱方法和装置 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种快速检测II型红外超晶格界面质量的光谱方法和装置。该装置包括具有步进扫描功能的傅里叶变换红外测量系统、作为泵浦光源的激光器、变温变磁场样品测量系统、以及联接傅立叶变换红外光谱仪中探测器和电路控制板的锁相放大器、置于变温变磁场样品测量系统和激光器之间光路上的斩波器。本发明使用上述设备，通过测试II型红外超晶格的光致发光强度随磁场的衰减程度，快速检测II型红外超晶格的界面晶格质量。通过对分子束外延生长的红外波段InAs/GaSb?II型超晶格的测试表明：本发明方法是一种快速便捷的检测II型超晶格界面的光学方法，其具有无损灵敏的优点，非常适用于红外II型超晶格界面微弱光学信号的检测。 |
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