| 专利名称 | 三维层叠存储器及其制造方法 | 申请号 | CN201110376702.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137625A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I | 专利有效期 | 三维层叠存储器及其制造方法 至三维层叠存储器及其制造方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种三维层叠存储器，包括：衬底；衬底上的多层堆栈沟道，所述多层堆栈沟道包括交替层叠的半导体层和介质层，其中，所述半导体层的宽度大于介质层的宽度；覆盖所述多层堆栈沟道外表面的栅堆栈；在所述栅堆栈上的栅电极。多层沟道堆栈中的介质层的宽度小于半导体层的宽度或者去除该介质层，使多层沟道堆栈中的半导体层与栅堆栈的接触面积增大，而不是现有技术中仅为半导体层的侧壁部分与栅堆栈接触，从而增大沟道的有效宽度，增大沟道中的开态电流，提高了三维层叠存储器的性能。 |
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