| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110375108.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103137475A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;许静;刘云飞 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供SOI衬底，在该SOI衬底上形成栅堆叠，在所述栅堆叠的侧壁上形成侧墙以及在所述栅堆叠的两侧形成源/漏区；在整个半导体结构的表面上形成第一金属层，然后去除该第一金属层；在所述源/漏区的表面上形成非晶半导体层；在整个半导体结构的表面上形成第二金属层，然后去除该第二金属层；对所述半导体结构执行退火操作。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明有效地降低了源/漏区的接触电阻。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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