| 专利名称 | 大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法 | 申请号 | CN201110382095.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103132131A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡章贵;毛倩;岳银超 | 主分类号 | C30B9/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B9/12(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I | 专利有效期 | 大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法 至大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明是一种大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法，采用Li2O-MoO3-MF2生长体系作为助溶剂，其中MF2为二价金属氟化物。通过本发明可以有效地降低晶体的生长温度，其温度范围在650～730℃之间；可以极大减少体系的挥发度，提高了晶体生长过程中体系的稳定性，防止杂晶形成，提高了晶体的生长速度；可以明显降低溶液的粘度，较低的粘度有利于溶质传输，易于晶体的生长并且提高了晶体的生长质量；可以稳定地生长一系列大尺寸、高光学质量的LBO单晶，重量达到了800克以上，尺寸达到10厘米以上，如果使用大尺寸坩埚，适当延长生长周期，还可以获得相应更大尺寸的单晶体。 |
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