| 专利名称 | 一种低压等离子喷涂技术制备Y2O3陶瓷涂层的方法 | 申请号 | CN201110396373.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103132007A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 邵花;王文东;刘邦武;夏洋;李勇滔 | 主分类号 | C23C4/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C4/12(2006.01)I;C23C4/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低压等离子喷涂技术制备Y2O3陶瓷涂层的方法 至一种低压等离子喷涂技术制备Y2O3陶瓷涂层的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及Y2O3陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种低压等离子喷涂技术制备Y2O3陶瓷涂层的方法。所述制备黑色Y2O3陶瓷涂层的方法，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤(2)，对待喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，在所述等离子喷涂开始时先将所述真空等离子喷涂设备的真空喷涂室抽真空至1-10Pa，再充入惰性气体Ar，此时使所述真空喷涂室内压力达1.3×103Pa；继续充入H2，使其压力达到103～104Pa后进行喷涂作业；制备出Y2O3涂层。本发明是在低压条件下制备Y2O3涂层，使用本发明制备的Y2O3涂层为黑色，具有优异的耐刻蚀、耐脏等性能，且成本较低。 |
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