| 专利名称 | 一种半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法 | 申请号 | CN201110396482.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103132003A | 公开（授权）日 | 2013.06.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 邵花;王文东;刘邦武;夏洋;李勇滔 | 主分类号 | C23C4/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C4/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法 至一种半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及Y2O3陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法。所述半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤(2)，对待喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，并且在所述进行等离子喷涂时向等离子焰流中通入H2，制备出黑色Y2O3陶瓷涂层。本发明以Ar/H2为喷涂气体并在等离子焰流中加入H2，使熔融的Y2O3粉末与之发生还原反应，使Y2O3粉末变黑。 |
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